仁科百华资料 广州增芯苦求半导体结构很是酿成关节专利, 半导体结构的电容密度获取提高

仁科百华资料 广州增芯苦求半导体结构很是酿成关节专利, 半导体结构的电容密度获取提高

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金融界2025年3月29日音问,国度常识产权局信息流露,广州增芯科技有限公司苦求一项名为“半导体结构很是酿成关节”的专利,公开号CN119698007A仁科百华资料,苦求日历为2024年12月。

专利摘录流露,一种半导体结构很是酿成关节,结构包括:衬底;位于衬底上的衬垫层;位于衬垫层内的多少凹槽,所述凹槽的侧壁名义向所述衬垫层内凹下;位于多少所述凹槽侧壁名义和底部名义的电容结构,所述电容结构包括多少层电极层和位于相邻两层电极层之间的第一介质层。所述半导体结构的电容密度获取了提高。

天眼查远程流露,广州增芯科技有限公司,开荒于2021年,位于广州市,是一家以从事计较机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册成本682000万东说念主民币,实缴成本301000万东说念主民币。通过天眼查大数据分析,广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标名目35次,财产痕迹方面有商标信息53条,专利信息63条,此外企业还领有行政许可166个。

本文源自:金融界